▲圖片來源：華邦電官網
理周投研部指出，華邦電(2344)營運核心由「記憶體價格回升」進一步轉為「結構性缺貨」。AI伺服器需求增加，加上全球大型記憶體廠將先進產能集中於HBM、DDR5等產品，使利基型DRAM及SLC NAND供給吃緊。華邦電第二季記憶體本業產能利用率達100%，平均售價大幅上升，帶動單季獲利創歷史新高；公司更透露已有約五成相關DRAM客戶簽訂中長期供貨合約，需求能見度一路看到2030年前，並啟動高雄Module B擴建計畫。
第二季EPS 5.4元、獲利創歷史新高：
華邦電第二季合併營收598.43億元，季增56.4%、年增184.7%，毛利率66.2%，歸屬母公司稅後淨利243.17億元，創下歷史新高，單季EPS達5.4元，上半年EPS累計7.65元。若排除新唐等邏輯IC業務，記憶體本業第二季營收約517億元，季增72.8%、年增303.1%，毛利率更高達70.3%，且產能利用率已達100%。
AI需求推升客製化記憶體價格：
產品結構來看，第二季客製化記憶體占營收53%，受AI需求強勁帶動，混合平均售價季增約100%，20奈米產品營收貢獻逐步提高；快閃記憶體則占營收33%，其中24奈米及32奈米SLC NAND出貨增加。也就是說，華邦電目前並非只靠單一DDR4報價上漲，而是DRAM、SLC NAND與高附加價值產品同步改善。
7月營收再創高峰：
營收方面，華邦電6月營收205.97億元，年增約190%；7月營收進一步跳升至267.73億元，月增29.99%、年增291.55%，前7月累計營收1248.70億元，年增160.97%。在產能接近滿載的情況下，營收仍快速增加，顯示產品平均售價上升與產品組合改善，是推動營收成長的重要來源。
客戶搶簽長約、需求看到2030年前：
市場供需緊張程度也可從長約觀察。華邦電表示，目前真正簽訂LTA長期供貨合約的DRAM客戶已占約五成，現階段合約期限通常為1至2年；未來Module B產能開出後，公司考慮將合約期限拉長至3至5年，甚至研議由客戶預付20%至30%資金，共同分擔新產能投資。公司認為，在AI需求快速提高下，記憶體逐漸由一般商品化零組件，轉變為客戶必須提前規畫的戰略性資源。
高雄Module B啟動擴產：
華邦電目前高雄廠月產能約1.5萬片，後續規劃擴增至2.4萬片；同時啟動Module B擴建計畫，預計2027年1月動工，2029年裝機並量產，將導入16奈米、14奈米及未來12奈米製程。公司認為2027年的記憶體供需甚至可能比2026年更吃緊，因此提前規畫新產能，以因應AI與利基型DRAM長期需求。
理周投研部指出，華邦電近期營運題材可歸納為「AI推升客製化記憶體需求」、「第二季獲利創歷史新高」、「記憶體本業毛利率突破70%」、「7月營收年增近3倍」、「DRAM客戶搶簽LTA」、「Module B擴產至先進製程」等方向。後續值得注意的是，記憶體本身仍具景氣循環特性，目前價格及毛利率均處高檔，一旦供應商快速擴產，2028至2030年的供需結構仍可能再次改變。
ChatGPT輔助分析：
9/2以179元收盤，上漲3元、漲幅1.70%，成交量82422張。技術面來看，175至176元成為第一道支撐，若跌破可先觀察170元整數關卡；上方182.5至184元則是短期壓力，如果可以站穩184元後，才有機會再向190至200元挑戰。
▲圖片來源：CMoney華邦電(2344)K線圖
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