晶片微縮材料瓶頸有解 龍華科大開發Cu(Os)互連導線技術 論文、專利雙布局

《圖說》龍華科大林宗新副教授榮登AIPP國際期刊之研究圖文摘要,呈現新型 Cu(Os) 銅鋨合金互連導線鍍層之結構優勢,證實其能有效阻絕銅原子擴散、顯著提升介電層之經時崩潰(TDDB)可靠度並有效減緩銅錫反應,成功為下世代晶片先進製程與高階封裝瓶頸提供關鍵解方。〈龍華科大提供〉
《圖說》龍華科大林宗新副教授榮登AIPP國際期刊之研究圖文摘要,呈現新型 Cu(Os) 銅鋨合金互連導線鍍層之結構優勢,證實其能有效阻絕銅原子擴散、顯著提升介電層之經時崩潰(TDDB)可靠度並有效減緩銅錫反應,成功為下世代晶片先進製程與高階封裝瓶頸提供關鍵解方。〈龍華科大提供〉

【記者葉柏成/新北報導】龍華科技大學半導體工程系林宗新副教授投入半導體材料研究,開發「Cu(Os)銅鋨合金互連導線鍍層」技術,研究成果近日獲美國物理聯合會出版社(AIP Publishing)旗下《AIP Advances》刊登,並同步完成專利布局,研究成果朝AI晶片、先進封裝等應用領域邁進。

林宗新表示,隨著晶片線寬與導線間距不斷縮小,傳統銅(Cu)互連導線除了要維持良好導電性,也必須面對銅原子擴散、漏電流增加及介電層可靠度下降等問題。尤其進入更先進的微縮製程後,過去常見的阻障層技術也面臨厚度與製程整合上的限制,因此研究團隊從材料本身尋找改善方向。

此次研究利用微量稀有金屬鋨(Osmium, Os)調控銅合金材料特性,透過共濺鍍製程開發Cu(Os)合金鍍層。研究結果顯示,該材料在微縮結構下具有抑制銅原子擴散及提升介電層可靠度的潛力,為先進微電子製程的互連材料提供另一種可能。

研究成果以〈Practical relevance of Cu(Os) interconnects in microelectronics〉為題,刊登於2026年《AIP Advances》第16卷、095206期。值得注意的是,這篇論文採單一作者發表,從研究構想、理論分析到關鍵實驗,均由林宗新副教授主導完成,展現龍華科大教師投入半導體前瞻材料研究的成果。

林宗新指出,大學研究不能只停留在論文發表,更重要的是能否回應產業真正面臨的問題。此次研究從材料設計、製程開發到可靠度分析,都是針對先進微電子製程的實際需求,希望未來能進一步完成技術驗證,並與半導體晶圓製造、先進封裝及材料相關產業展開產學合作。

龍華科大校長葛自祥表示,半導體產業快速發展,人才培育也不能只著重課堂知識,更要讓學生理解產業需求,培養解決問題的能力。學校持續推動半導體相關教學與研究,從材料、製程到元件可靠度,讓師生有機會接觸產業前瞻議題,也希望透過教師研究成果帶動教學現場,讓學生在學習專業知識的同時,了解科技產業未來發展方向。

葛自祥指出,面對AI、高效能運算及先進封裝快速發展,半導體元件朝更小尺寸、更高效能演進,材料可靠度的重要性也日益提高。學校未來將持續投入半導體前瞻材料與製程技術研究,並透過國際期刊發表、專利布局及產學合作,推動研究成果從實驗室走向產業應用,同時強化半導體人才培育,讓技職教育與台灣產業發展更加緊密接軌。

原始新聞來源 晶片微縮材料瓶頸有解 龍華科大開發Cu(Os)互連導線技術 論文、專利雙布局 臺灣郵報.