圖片來源：ChatGPT 製圖
全球 AI 資料中心龐大耗電量引爆高效率電力轉換與功率元件的升級浪潮，LED 封裝老牌廠光鼎(6226)正式擺脫傳統 LED 削價競爭的舊框架，被市場資金強勢重估為「ThermaFlat 1200V SiC MOSFET＋IGBT功率模組＋AI伺服器電源」的碳化矽轉機黑馬。受惠於正式推出ThermaFlat系列SiC MOSFET搶進AI伺服器電源、太陽能逆變器與儲能市場，加上功率半導體族群獲資金強烈關注，光鼎於今(28)日盤中湧入強勁追價買盤，終場強勢攻上 20.5 元漲停板鎖死，成交量急遽放大至23,297張(較前一日暴增85%)。理周投研部指出，光鼎第二季營收季增 15.5%、毛利率回升至 30.15%，隨新世代SiC產品進入印度與海外EMS客戶驗證，多頭強勢反彈主升段已全面點火。
法人表示，光鼎 2026 年上半年的營運展現「第二季顯著回溫、毛利率率先打底」的結構性轉折。今年第二季合併營收約1.752億元(季增約15.5%、年增約11.8%)，其中6月單月營收衝上5,582.6萬元(年增22.50%)，帶動上半年累計營收達3.269億元(年增約4.0%)，顯現營運低谷已過。回顧首季財報，單季合併營收1.517億元，受惠於產品組合優化，單季毛利率挺升至30.15%(季增1.45個百分點)；惟受限於轉型研發與管理費用，首季本業營業利益率為負6.37%(營業損失約970萬元)，在業外收益挹注下，單季稅後淨利為115萬元、EPS繳出0.01元微幅轉盈成績，5月單月自結稅後淨利則進一步擴大至400萬元(單月EPS約0.03元)。不過，公司於今日上午特別發表重訊澄清，媒體報導「今年營收挑戰雙位數、本業轉虧為盈」並非公司官方財測，顯見目前獲利仍處於轉型打底期。
法人進一步指出，光鼎轉型最核心的技術壁壘在於其跨足寬禁帶半導體的強大研發能量。公司自2022年切入功率半導體，繼推出第七代微溝槽IGBT離散元件與半橋功率模組後，2026年正式發表1,200V ThermaFlat系列SiC MOSFET。該產品核心優勢在於降低導通電阻隨溫度升高的漂移幅度，搭配Kelvin Source腳位設計可大幅減少高達35%的切換損失，晶圓良率最高達94.6%，能完美因應AI資料中心、儲能、UPS 與太陽能逆變器的高溫高負載極端環境。目前光鼎功率半導體主要鎖定印度品牌與外銷型EMS大廠，訂單能見度可達年底；儘管目前營收結構仍以LED封裝(占比約90%)與模組(約9%)為主，功率半導體占比僅約 1%，但隨 SiC 產品加速放量，中長線高毛利的功率半導體將成為驅動獲利爆發的第二條成長曲線。
理周投研部表示，若以今日漲停價 20.5 元與第一季每股淨值約 10.42 元計算，目前股價淨值比(PB)約為1.97倍，由於近四季累計EPS仍為負0.18元(尚未能以正本益比評價)，估值已高度提前預支未來SiC產品量產放量的劇本。財務體質方面，首季帳上每股淨值為 10.42 元，惟因備料與轉型研發致首季營業現金流呈淨流出4,741萬元，第二季季報之營業利益是否正式轉正與現金流改善狀況將是市場實質驗證點。籌碼面上，近5個交易日三大法人合計調節賣超5,539張(外資賣超5,025張)，7 月 27 日融資餘額為2,809張、當沖比高達60%，短線呈現主力與內資高換手特徵。
圖片來源：CMoney光鼎(6226)K線圖
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